收藏本站
IXFN44N50U2
IXFN44N50U3
IXFN48N50U2
IXFN48N50U3
Fig. 11. Forward voltage drop.
Fig. 14. Dynamic parameters versus
junction temperature.
Fig. 12. Recovery charge versus -di F /dt.
Fig. 15. Recovery time versus -di F /dt.
Fig. 13. Peak reverse current vs. -di F /dt.
Fig. 16. Peak forward voltage and forward
recovery time vs. di F /dt.
Fig. 17. Transient thermal impedance junction to case.
? 2000 IXYS All rights reserved
5-5
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXFN44N60 MOSFET N-CH 600V 44A SOT-227B
IXFN44N80P MOSFET N-CH 800V 39A SOT-227B
IXFN44N80 MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B
IXFN48N55 MOSFET N-CH 550V 48A SOT-227B
IXFN48N60P MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227
IXFN50N80Q2 MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B
IXFN520N075T2 MOSFET N-CH 75V 480A SOT227
IXFN52N90P MOSFET N-CH 900V 43A SOT227
相关代理商/技术参数
IXFN44N60 功能描述:MOSFET 44 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN44N80 功能描述:MOSFET 44 Amps 800V 0.145 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN44N80P 功能描述:MOSFET 36 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN44N80Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/37A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN48N50 功能描述:MOSFET 500V 48A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN48N50 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-227B
IXFN48N50Q 功能描述:MOSFET 48 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN48N50U2 功能描述:MOSFET 48 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube